STFI7LN80K5

STFI7LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其核心架构通过优化单元密度和电荷平衡技术，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时确保了在高压开关应用中的快速开关特性和坚固性。

该MOSFET的突出特性在于其800V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压应力与开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A，结合低至1.15欧姆（@2.5A, 10V）的导通电阻，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在动态性能方面，STFI7LN80K5表现出色。其栅极总电荷（Qg）典型值较低，在10V驱动下最大为12nC，这有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。同时，其输入电容（Ciss）在100V偏压下最大为270pF，与Qg参数共同决定了器件具有较快的开关速度。该器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，最大功率耗散能力为25W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货渠道的批量项目，建议通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询。

凭借800V的耐压和优化的开关特性，这款器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主开关、电子镇流器以及工业电机驱动等中功率领域。其设计旨在帮助工程师构建高效率、高功率密度的电源转换系统，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要的参考价值与应用延续性。

• 型号:STFI7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI7LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）与5A连续漏极电流（Id），采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，具备坚固的物理特性与良好的散热能力。

其技术优势体现在优异的静态与动态参数上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.15欧姆（@2.5A），有效降低了导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在12nC（@10V），有利于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为中功率离线开关电源、照明驱动及工业控制等应用中，追求高效率与高可靠性的理想功率开关选择。