STFI7N80K5

STFI7N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在为高压开关应用提供坚固可靠的性能基础，内部集成的体二极管具有优化的反向恢复特性，有助于提升系统在硬开关拓扑中的效率与可靠性。

该MOSFET的突出特性在于其800V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统功率密度得以提升。

在电气参数上，STFI7N80K5在25°C壳温（Tc）下可连续通过6A的漏极电流，最大功耗为25W。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，提供了较强的抗干扰能力。器件采用通孔安装的I2PAKFP（也称为TO-281）封装，这种封装具有良好的机械强度和散热性能，便于在PCB上实现稳固的安装和有效的热管理。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关的技术支持和库存信息。

得益于其高压、低损耗和坚固的封装特性，这款器件非常适合应用于需要高效能和高可靠性的离线式开关电源（SMPS），如PC电源、服务器电源和工业电源的PFC（功率因数校正）及主开关电路。此外，在照明领域，如LED驱动电源，以及白色家电中的电机驱动和控制电路里，它也能发挥关键作用。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件市场中，它依然是一款经典且经过验证的高压开关解决方案。

• 型号:STFI7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI7N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和6A连续漏极电流（Id），采用I2PAKFP通孔封装，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了高耐压与低导通特性的结合，在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻，有助于提升系统效率。优化的栅极电荷和输入电容参数，则有利于实现更快的开关速度和降低驱动损耗。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在多样化环境条件下的稳定性和可靠性。