STFILED625

STFILED625是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于I2PAKFP（TO-281）通孔封装中，为工程师在高压开关应用中提供了一个可靠的功率开关解决方案。其核心设计旨在优化高电压下的导通损耗与开关性能的平衡，内部结构通过精心的布局降低了寄生参数，从而提升了器件的整体效率。

该器件具备620V的高漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力与开关尖峰。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值较低，在1.9A电流下最大值为2欧姆，配合4.5A的连续漏极电流(Id)能力，确保了在传导期间具有较低的功率损耗。其栅极电荷(Qg)最大值仅为23nC @ 10V，结合560pF的输入电容(Ciss)，意味着它需要较少的栅极驱动能量即可实现快速开关，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，STFILED625的栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±30V的Vgs，为驱动电路提供了设计裕量。其阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V @ 50A，提供了良好的噪声抑制能力。器件在管壳温度(Tc)下的最大功率耗散为25W，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，展现了其坚固的鲁棒性。对于需要稳定供货与深度技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取完整的产品资料与供应链服务。

凭借其高压、中电流和快速开关的特性，此芯片非常适用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、照明镇流器以及低功率电机驱动和逆变器等应用场景。其通孔I2PAKFP封装具有良好的机械强度和散热特性，适合在需要高可靠性的工业与消费类电力电子设备中使用。

• 制造商产品型号：STFILED625
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 4.5A I2PAKFP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：560pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAKFP（TO-281）
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STFILED625是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAKFP通孔封装。其核心电气参数包括620V的漏源电压(Vdss)和4.5A的连续漏极电流(Id)，为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))最大值为2欧姆 @ 1.9A，结合最大仅23nC的栅极电荷(Qg)，实现了导通损耗与开关损耗的良好平衡，有助于提升系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。