STFU10N80K5

STFU10N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的出色平衡。这种架构的核心在于其创新的单元布局和沟槽技术，有效降低了导通损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（V_DSS），使其能够从容应对工业及消费类电源应用中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为9A，结合仅600mΩ（典型值@10V V_GS, 4.5A I_D）的导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。其栅极驱动特性同样优异，最大栅极阈值电压（V_GS(th)）为5V，而栅极电荷（Q_g）最大值仅为22nC，这有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，从而降低高频工作时的开关损耗。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220FP封装，提供通孔安装方式，便于散热器安装以实现更好的热管理，其最大功率耗散能力为30W（T_C=25°C）。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性。关键的动态参数，如输入电容（C_iss）在100V V_DS下最大值为635pF，结合±30V的最大栅源电压（V_GS）容限，为设计者提供了充分的裕量和灵活性。如需获取官方技术支持和正品供应，建议通过ST授权代理进行采购。

得益于其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STFU10N80K5非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）、反激式（Flyback）和半桥/全桥转换器。它也是电机驱动、照明镇流器、工业逆变器以及UPS（不间断电源）系统中功率开关部分的理想选择，能够有效提升系统整体能效和功率密度。

• 型号:STFU10N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFU10N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh K5技术。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至600mΩ的导通电阻（R_DS(on)）相结合，在TO-220FP封装内实现了优异的性能平衡。

其技术参数针对高效率应用进行了优化，包括最大9A的连续漏极电流（I_D）、仅22nC的低栅极电荷（Q_g）以及宽达-55°C至150°C的工作结温范围。这些特性使其在导通损耗和开关损耗方面表现突出，非常适合用于开关电源、电机驱动和功率转换系统，以提升能效和可靠性。