STFU10NK60Z

STFU10NK60Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，通过创新的单元布局和沟槽工艺，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心在于实现了600V漏源击穿电压(Vdss)与低至750毫欧的导通电阻(Rds(on))之间的卓越平衡，这一特性对于提升中高压开关应用的效率至关重要。内部结构经过精心优化，以控制寄生电容参数，从而改善开关动态性能并降低开关损耗。

在功能表现上，该MOSFET展现出优异的电气特性。其栅极阈值电压(Vgs(th))典型值较低，确保了在标准驱动电压下的可靠开启，同时最大栅源电压(±30V)提供了宽裕的驱动安全裕度。较低的栅极电荷(Qg，最大值48nC)与输入电容(Ciss)意味着驱动电路所需的充电能量更少，这不仅简化了栅极驱动设计，更能实现更高的开关频率，适用于对效率与频率有要求的拓扑结构。器件在25°C壳温下可连续通过10A电流，并能在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，其TO-220FP封装提供了良好的机械强度和散热能力，标称功率耗散可达35W。

从接口与参数角度看，STFU10NK60Z是一款标准的三端子器件，采用通孔安装的TO-220FP封装，便于在各类电源板卡上进行装配和散热管理。其关键静态参数，如600V的Vdss和10A的连续漏极电流，定义了其应用电压与电流范围。动态参数方面，在10V驱动电压、4.5A测试条件下给出的Rds(on)最大值，以及在不同电压下测得的Qg和Ciss值，为工程师计算导通损耗、驱动功耗和开关速度提供了精确依据。这些参数共同描绘出一个兼具高耐压、低导通损耗和良好开关特性的功率开关管形象。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过授权的ST一级代理获取正品货源与技术支援。

基于其性能组合，STFU10NK60Z非常适合于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源(SMPS)应用，例如服务器电源、PC电源、工业电源适配器的功率因数校正(PFC)和主开关电路。此外，它在电机控制驱动、照明镇流器、UPS不同断电源以及电焊机等工业设备的逆变和整流环节中也能发挥重要作用。其稳健的设计使其能够应对这些应用中常见的电压尖峰和频繁开关工况，是工程师设计600V级中功率电力电子系统的优选器件之一。

• 型号:STFU10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STFU10NK60Z的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STFU10NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压耐受能力与出色的低导通电阻特性（最大750毫欧），这确保了在高压开关应用中既能有效阻断电压，又能最大限度地降低导通状态下的功率损耗。

此外，器件具备10A的连续电流处理能力，并采用TO-220FP封装以优化散热。其较低的栅极电荷（最大48nC）和输入电容有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，从而提升整体系统效率。这些特性使其成为设计高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。