STFU14N80K5

STFU14N80K5是ST意法半导体基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶硅上集成了高性能的栅极和源极单元，实现了低导通电阻与低栅极电荷的卓越平衡。其核心架构通过精密的单元密度控制和独特的沟槽栅技术，有效降低了传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

得益于MDmesh K5技术的加持，这款MOSFET展现出显著的功能优势。其800V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在高压应用中的高可靠性，而12A的连续漏极电流（Id）则提供了可观的电流处理能力。一个关键特性在于其优异的动态性能，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值远低于445毫欧，同时栅极总电荷（Qg）被控制在22nC以内。这种低Qg与低Rds(on)的组合，意味着器件在开关过程中既能快速响应，又能保持较低的导通压降，从而显著提升系统整体效率并降低热耗散。

在电气参数方面，STFU14N80K5的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备良好的噪声免疫能力。其输入电容（Ciss）在100V条件下最大为620pF，有助于简化栅极驱动电路的设计。器件采用标准的TO-220FP封装，提供通孔安装方式，便于在散热器上安装以实现更佳的热管理，其结温工作范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

该器件主要面向对效率和可靠性有高要求的离线式开关电源（SMPS）应用，是功率因数校正（PFC）电路、LLC谐振转换器以及电机驱动逆变器等拓扑结构的理想选择。其高耐压特性尤其适用于基于反激、正激拓扑的工业电源、服务器电源和LED照明驱动。此外，在电焊机、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等新能源领域，STFU14N80K5也能凭借其稳健的性能，帮助设计工程师构建更紧凑、更高效的功率级解决方案。

• 型号:STFU14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STFU14N80K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STFU14N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与12A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的动态性能平衡。在10V栅极驱动下，器件具备低至445毫欧的导通电阻（最大值）和仅22nC的栅极电荷（最大值）。这种特性组合能够有效降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）进一步确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。