STFU15N80K5

作为ST意法半导体MDmesh K5系列中的一员，STFU15N80K5是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和创新的垂直结构，旨在显著降低单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持优异的开关性能。该技术通过精确控制电荷平衡，有效减少了器件在高压下的导通损耗，为高效率功率转换奠定了物理基础。

该器件具备多项突出的功能特性。其800V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，尤其适用于存在电压尖峰的应用环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为14A，结合低至375毫欧（在7A，10V条件下）的导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率损耗。此外，其栅极电荷（Qg）典型值仅为32nC（在10V条件下），配合±30V的最大栅源电压（Vgs）容限，意味着它能够实现快速开关并简化栅极驱动电路的设计，有助于提升系统整体开关频率和效率。

在接口与关键参数方面，ST代理提供的该型号器件采用标准的TO-220FP通孔封装，这种封装形式在保证良好散热能力（最大功率耗散35W，基于壳温）的同时，也便于在各类电源板卡上进行安装和焊接。其输入电容（Ciss）在100V条件下最大值为1100pF，与低栅极电荷特性共同作用，有效降低了开关过程中的驱动损耗。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛工业环境下的可靠运行。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的平衡性能，STFU15N80K5非常适合于要求高效率和高可靠性的功率电子应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、以及UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等新能源转换系统。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并增强系统在高压条件下的长期稳定性。

• 型号:STFU15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STFU15N80K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STFU15N80K5是ST意法半导体推出的MDmesh K5系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于结合了800V的高漏源电压与优异的导通特性，在7A，10V条件下的导通电阻最大值仅为375毫欧，有助于显著降低导通损耗。

该器件同时具备快速的开关性能，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值仅为32nC，有利于实现高效率的高频开关操作。其设计支持在-55°C至150°C的宽结温范围内工作，最大功率耗散为35W（Tc），为工业级电源转换、电机驱动及新能源应用提供了高可靠性的解决方案。