STFU15NM65N

STFU15NM65N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，专为高效能、高可靠性的功率转换应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在保持快速开关特性的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，实现了优异的性能与成本平衡。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了充足的裕量。其关键特性在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为380毫欧。同时，33.3nC的低栅极电荷（Qg）与983pF的输入电容（Ciss）有效降低了开关过程中的驱动损耗，提升了系统在高频工作下的整体效率。这些特性共同确保了器件在高温环境下（结温Tj最高150°C）仍能稳定工作，最大功率耗散可达30W。

在接口与参数方面，STFU15NM65N采用标准的通孔安装TO-220FP封装，便于散热器安装和机械固定。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V，而开启阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为4V，这为驱动电路设计提供了灵活性，并兼容多种控制器。用户可以通过授权的ST代理商获取完整的技术资料、样品及批量供应支持。

得益于其高压、低损耗和高频性能的完美结合，STFU15NM65N非常适用于要求苛刻的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及高效照明系统的电子镇流器。在这些应用中，它能够有效提升系统功率密度和能效，同时确保长期运行的可靠性。

• 型号:STFU15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFU15NM65N是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其650V的漏源电压和12A的连续电流处理能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了导通损耗与开关损耗的优异平衡。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至380毫欧（@6A），同时栅极电荷（Qg）仅为33.3nC，这有助于显著降低系统的传导损耗和开关损耗，提升整体能效。结合其高达150°C的结温工作范围和30W的功率耗散能力，该器件非常适合用于构建高效率、高可靠性的功率转换解决方案。