STFU18N60M2

STFU18N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面工艺技术制造，封装于标准的TO-220FP绝缘型封装内。该器件设计用于处理高达600V的漏源电压，为高压开关应用提供了一个稳健的半导体解决方案。其内部架构经过优化，旨在实现低导通损耗与快速开关特性的良好平衡，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的核心优势在于其优异的动态与静态性能。它具备低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(Rds(on))特性，这直接转化为更低的开关损耗和导通损耗，有助于减少热量产生并提升能源转换效率。其快速开关能力使其非常适合高频工作环境，同时，器件本身具有高雪崩耐量和坚固的体二极管，这增强了其在感性负载开关等严苛条件下的可靠性与耐用性，有效防止因电压尖峰导致的意外失效。

在电气参数方面，STFU18N60M2的电压与电流规格使其能够胜任中高功率级别的任务。其栅极驱动设计兼容广泛的逻辑电平，便于与常见的控制器接口。详细的性能参数，包括不同条件下的导通电阻、栅极阈值电压以及热特性，均经过严格测试与表征，确保其在规定工作温度范围内的稳定表现。用户可以通过ST授权代理获取完整的数据手册，以进行精确的电路设计和热管理规划。

凭借其高压能力和高效特性，STFU18N60M2主要面向需要可靠高压开关的工业与消费类电子领域。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)和主开关电路、不间断电源(UPS)、电机驱动控制器以及照明系统的电子镇流器。在这些场景中，它能够有效提升系统功率密度和能效等级，是工程师设计高性能、高可靠性电源与驱动方案的优选器件之一。

• 型号:STFU18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFU18N60M2是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP绝缘封装。该器件设计用于高压环境，其核心规格支持高达600V的漏源电压，为电源转换和电机驱动等应用提供了必要的电压耐受基础。

其技术设计的重点在于优化功率损耗。通过实现低导通电阻与低栅极电荷的良好结合，该MOSFET能够显著降低导通与开关过程中的能量损耗，从而提升系统整体效率。此外，其坚固的体二极管和良好的热性能确保了在频繁开关和感性负载条件下工作的长期可靠性，适用于对效率和耐用性有较高要求的工业与消费类电源解决方案。