STFU23N80K5

STFU23N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了卓越的开关性能与导通损耗的平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部寄生电容，这使得器件在高频开关应用中能够同时兼顾高效率与低电磁干扰（EMI）。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id）能力，为其在高压环境中稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻在典型工作条件下（8A，10V Vgs）最大仅为280毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的热损耗和更高的系统能效。此外，栅极电荷（Qg）最大值控制在33nC，结合1000pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量更少，有助于简化栅极驱动设计并提升开关速度，特别适合高频硬开关和软开关拓扑。

在接口与参数方面，器件采用标准的TO-220FP封装，提供通孔安装方式，便于散热器安装以实现高达35W的功率耗散。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±30V的栅源电压，增强了设计的鲁棒性。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛工业环境下的可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

得益于其高压、低损耗及快速开关的特性，STFU23N80K5非常适用于要求高效率和功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及高效照明（如LED驱动）的功率转换部分。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减少散热需求，并支持更紧凑的电源设计。

• 型号:STFU23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFU23N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

其技术优势体现在优异的动态与静态参数上：最大280毫欧的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，而最大33nC的低栅极电荷（Qg）则确保了快速的开关切换，减少开关损耗。这些特性共同提升了电源系统的整体效率。该器件设计工作结温高达150°C，适用于工业电源、电机驱动、UPS及照明系统等要求高可靠性和高效率的功率转换领域。