STFW1N105K3

STFW1N105K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和工艺改进，在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心架构旨在平衡高耐压与开关性能，为高压开关应用提供了一个高效、可靠的解决方案。

该器件具备一系列突出的功能特性。其高达1050V的漏源击穿电压（V_DSS），使其能够从容应对工业电源、照明系统等场合中常见的电网波动和感性负载关断产生的高压尖峰，确保了系统的长期可靠性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（V_GS）下，其导通电阻典型值低至11欧姆（@600mA），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为13nC（@10V），结合180pF（@100V）的输入电容，意味着所需的栅极驱动能量更小，可以实现更快的开关速度并简化驱动电路设计。

在电气参数与物理接口上，STFW1N105K3在25°C壳温（T_C）下的连续漏极电流（I_D）为1.4A，最大允许栅源电压为±30V，提供了宽裕的设计余量。其阈值电压V_GS(th)最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力。该器件采用通孔安装的ISOWATT-218FX封装，这种封装具有良好的热性能和电气隔离特性，其最大功率耗散能力为20W（T_C），结合-55°C至150°C的宽结温（T_J）工作范围，使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于其高压、低栅荷及稳健的封装特性，STFW1N105K3非常适用于对电压应力和开关效率有较高要求的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、工业照明（如HID灯电子镇流器）以及小功率电机驱动中的高压开关部分。在这些领域中，它能够有效提升功率密度和系统可靠性。

• 型号:STFW1N105K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:180 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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STFW1N105K3是意法半导体推出的一款高压N沟道MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其1050V的高漏源电压（V_DSS）额定值，为高压离线式应用提供了坚实的耐压保障。

在性能上，它在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻（R_DS(on)）和极小的栅极电荷（Q_g），这共同实现了更低的导通损耗与更快的开关速度，有助于提升电源系统的整体效率。其采用的ISOWATT-218FX通孔封装确保了良好的热管理，支持20W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的可靠性要求。