STFW2N105K5

STFW2N105K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和沟槽工艺，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心设计目标是在高压应用中实现更低的开关损耗和传导损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该器件具备一系列突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达1050V，为应对工业电源、电机驱动等场合的电压尖峰提供了充裕的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为2A。其导通电阻在10V栅极驱动电压、750mA漏极电流条件下典型值仅为8欧姆，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗。此外，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为10nC @ 10V，结合115pF @ 100V的较低输入电容（C_iss），意味着器件具有快速的开关速度和较低的栅极驱动需求，有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗。

在接口与参数方面，STFW2N105K5采用标准的通孔安装ISOWATT-218FX封装，该封装具有良好的热性能和电气隔离特性。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±30V，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V @ 100A，确保了与常见逻辑电平或驱动器良好的兼容性。器件在壳温（T_C）下的最大功率耗散为30W，结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

得益于其高压、低损耗和高可靠性的特点，STFW2N105K5非常适用于需要高效能功率转换和控制的领域。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及低功率电机驱动和逆变器。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强系统在高压条件下的长期稳定性。

• 型号:STFW2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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STFW2N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，实现了1050V的高漏源电压（Vdss）与低导通电阻（Rds(on)）的良好平衡，在10V驱动电压下典型值仅为8欧姆 @ 750mA，有助于降低导通损耗。

其设计注重开关性能与可靠性，最大栅极电荷（Qg）低至10nC，支持快速的开关切换。器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，最大功率耗散为30W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在高压、高功率密度应用中的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机控制等高压功率转换应用的理想选择。