STFW3N150

STFW3N150是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现高阻断电压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心设计通过精细的单元结构和创新的沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而在高压应用中有效提升了能效，并确保了器件在高温环境下的稳定性和可靠性。

该MOSFET具备一系列卓越的功能特性。其1500V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业电源、光伏逆变器等场合中的高压母线需求，提供了宽裕的安全裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，29.3nC的栅极电荷（Q_g）处于同类产品中的优秀水平，这意味着开关过程中的驱动损耗更低，有助于简化驱动电路设计并提升系统开关频率。其最高结温（T_J）可达150°C，展现了强大的热性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取正品器件和技术支持。

在接口与关键参数上，STFW3N150采用通孔安装的ISOWATT-218FX封装，该封装具有良好的电气隔离和散热性能。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下额定为2.5A，最大功耗为63W。栅源电压（V_GS）支持±30V范围，提供了稳健的驱动兼容性和抗干扰能力。输入电容（C_iss）等动态参数经过优化，有助于抑制开关过程中的电压尖峰和振荡，提升系统电磁兼容性（EMC）表现。

得益于其高压、低损耗和高可靠性的特点，STFW3N150非常适合于要求严苛的功率转换应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中PFC（功率因数校正）级和高压DC-DC变换器的理想选择，尤其适用于太阳能微型逆变器、UPS（不间断电源）以及工业电机驱动辅助电源等。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，并确保在恶劣环境下长期稳定运行。

• 型号:STFW3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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STFW3N150是ST意法半导体推出的一款高压N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件专为应对高效、高可靠性功率转换挑战而设计，其核心优势在于高达1500V的漏源电压（V_DSS）与优化的低导通电阻特性，能够在高压工况下显著降低导通损耗。

该MOSFET在10V栅极驱动下具备优异的开关性能，其较低的栅极电荷（Q_g，最大值29.3nC）有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，支持最高150°C的结温（T_J）和63W（T_C）的功率耗散能力，确保了出色的热管理和长期运行稳定性。这些特性使其成为工业电源、可再生能源逆变器及高压辅助电源等应用的理想功率开关解决方案。