STFW60N65M5

作为ST意法半导体MDmesh V产品系列中的一员，STFW60N65M5是一款采用ISOWATT-218FX封装的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于先进的MDmesh V技术平台构建，该平台通过优化的单元结构和垂直沟槽工艺，在降低导通电阻（R_DS(on)）与优化开关性能之间取得了卓越的平衡。其核心设计旨在实现更低的单位面积导通损耗和更快的开关速度，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了充足的电压裕量，使其能够稳定工作在诸如功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS）等存在电压应力的场合。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达46A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、23A漏极电流条件下，典型值仅为59毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。此外，其栅极电荷（Q_g）在10V V_GS下最大值为139nC，结合6810pF的输入电容（C_iss），有助于实现简洁高效的栅极驱动设计，并控制开关过程中的损耗。

在接口与热管理方面，该器件采用通孔安装的ISOWATT-218FX封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散为79W（T_C）。其栅源电压（V_GS）支持±25V的最大范围，而阈值电压（V_GS(th)）最大为5V，确保了与常见驱动电路的兼容性和良好的抗干扰能力。结温（T_J）最高可工作至150°C，赋予了其在高温环境下可靠的运行能力。用户可以通过授权的ST代理获取详细的技术支持和供货信息。

凭借其高耐压、大电流、低导通电阻及优化的开关特性，STFW60N65M5非常适用于对效率和功率密度有较高要求的工业级应用。典型应用场景包括但不限于服务器和电信设备的开关电源、工业电机驱动与变频器中的辅助电源、大功率照明镇流器以及不间断电源（UPS）系统。其设计能够有效提升系统能效，满足现代电力电子设备对高性能与可靠性的双重需求。

• 型号:STFW60N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 46A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:59 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:139 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6810 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:79W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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STFW60N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V系列。该器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，核心特性包括650V的漏源电压（V_DSS）和高达46A的连续漏极电流（I_D）处理能力。

其技术优势体现在极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为59毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（139nC @10V）有助于实现快速的开关切换，提升系统整体效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动及大功率照明等应用中高效能量转换的理想选择。