STGAP1S

意法半导体推出的STGAP1S是一款采用磁耦合技术的单通道隔离栅极驱动器，属于其面向汽车应用的gapDRIVE产品系列，并符合AEC-Q100标准。该器件集成了信号传输与功率驱动功能，其核心架构通过一个高抗扰度的隔离屏障，实现了控制侧（低压域）与功率侧（高压域）之间高达2500Vrms的电气隔离。这种设计确保了在复杂的功率开关环境中，控制信号能够安全、可靠地驱动高压侧的功率开关管，如IGBT或MOSFET，同时有效阻断地线噪声和高压浪涌对敏感控制电路的干扰。

在功能特性上，STGAP1S展现出优异的动态性能。其典型传播延迟低至130纳秒，且通道间的脉宽失真被控制在10纳秒以内，这为需要高精度时序控制的应用，如电机驱动和逆变器，提供了关键保障。同时，器件具备2.5A的拉电流和灌电流驱动能力，能够快速对功率器件的栅极电容进行充放电，从而显著降低开关损耗。其上升和下降时间典型值均为25纳秒，有助于生成干净、陡峭的驱动波形，优化功率器件的开关特性并抑制电磁干扰（EMI）。

该驱动器提供了灵活的接口与宽范围的工作参数。其输出侧供电电压范围宽达4.5V至36V，能够兼容多种栅极驱动电压需求。器件采用标准的24引脚SOIC封装，便于表面贴装集成。其坚固的设计支持-40°C至125°C的宽工作温度范围，确保了在严苛的工业与汽车环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取相关的技术资料与采购信息。

基于其高隔离电压、快速开关性能以及汽车级的可靠性，STGAP1S非常适合于对安全性和性能有严格要求的应用场景。典型应用包括电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的牵引逆变器、车载充电器（OBC）以及DC-DC转换器。此外，在工业变频器、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等中高功率系统中，它也能作为关键的隔离驱动解决方案，确保系统高效、安全地运行。

• 型号:STGAP1S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:24-SO
• 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
• 描述:DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:磁耦合
• 通道数:1
• 电压 - 隔离:2500Vrms
• 共模瞬变抗扰度（最小值）:-
• 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:130ns，130ns
• 脉宽失真（最大）:10ns
• 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns（最大）
• 电流 - 输出高、低:2.5A，2.5A
• 电流 - 峰值输出:-
• 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:-
• 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:-
• 电压 -输出供电:4.5V ~ 36V
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 工作温度:-40°C ~ 125°C
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:24-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:24-SO
• 认证机构:UL
• 想获取STGAP1S的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGAP1S是意法半导体推出的一款符合AEC-Q100标准的单通道隔离栅极驱动器，属于其gapDRIVE汽车产品系列。该器件采用磁耦合技术，提供高达2500Vrms的电气隔离，确保控制侧与高压功率侧之间的安全信号传输。

其核心性能参数包括130纳秒的最大传播延迟、10纳秒的最大脉宽失真以及2.5A的峰值输出电流，能够实现快速、精确的功率开关控制。器件支持4.5V至36V的宽输出供电范围，并可在-40°C至125°C的宽温环境下稳定工作，采用24-SOIC表面贴装封装，适用于要求高可靠性的汽车与工业功率驱动应用。