STGAP2SMTR

意法半导体推出的STGAP2SMTR是一款采用磁耦合技术的单通道隔离式栅极驱动器，专为高效、可靠地驱动功率半导体开关（如IGBT、SiC和GaN MOSFET）而设计。其核心架构集成了基于变压器的高压隔离技术，能够在输入侧（低压控制电路）与输出侧（高压功率级）之间建立高达1700VDC的电气隔离屏障。这种设计确保了系统在高压环境下的安全运行，同时通过磁耦合实现了高速、高抗扰度的信号传输，有效隔离了功率侧噪声对敏感控制逻辑的干扰。

该器件具备出色的动态性能与鲁棒性。其传播延迟最大值仅为100ns，且上升与下降时间的典型值均为30ns，结合低至20ns的最大脉宽失真，确保了驱动信号的精确性与快速响应，这对于高频开关应用至关重要。高达100V/ns的最小共模瞬变抗扰度（CMTI）使其在功率开关动作产生剧烈电压瞬变时，能够保持输出稳定，有效防止误触发。输出级采用推挽结构，提供4A的拉电流和灌电流能力，可直接驱动中大功率开关管，简化外部缓冲电路设计。其输出侧供电电压范围宽达3V至5.5V，为驱动不同电压等级的功率器件提供了灵活性。

在接口与参数方面，STGAP2SMTR采用紧凑的8引脚SOIC封装，便于表面贴装，节省PCB空间。其工作结温范围覆盖-40°C至125°C，确保了在严苛工业环境下的可靠性。该器件集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，增强了系统安全性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高性能与高可靠性，该芯片广泛应用于工业电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车车载充电器等场景。在这些系统中，它作为连接数字控制器与功率开关的关键桥梁，不仅实现了安全隔离，更通过其强大的驱动能力和优异的抗干扰特性，提升了整个功率转换系统的效率、开关频率和长期运行稳定性。

• 型号:STGAP2SMTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
• 描述:DGTL ISO 1.7KV 1CH GATE DVR 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:磁耦合
• 通道数:1
• 电压 - 隔离:1700VDC
• 共模瞬变抗扰度（最小值）:100V/ns
• 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns
• 脉宽失真（最大）:20ns
• 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns
• 电流 - 输出高、低:4A，4A
• 电流 - 峰值输出:-
• 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:-
• 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:-
• 电压 -输出供电:9.6V ~ 26V
• 等级:-
• 资质:-
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• 认证机构:-
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STGAP2SMTR是ST意法半导体推出的一款有源、单通道数字隔离栅极驱动器，隶属于隔离器-栅极驱动器系列。它采用磁耦合技术，在控制侧与功率侧之间提供高达1700VDC的可靠电气隔离。

该驱动器的核心优势在于其卓越的动态性能和驱动能力。它具备高达100V/ns的共模瞬变抗扰度，确保在恶劣的功率开关噪声环境下稳定工作。其最大传播延迟仅为100ns，典型上升/下降时间为30ns，并支持4A的峰值输出电流，能够快速、精准、有力地驱动IGBT、SiC MOSFET等功率开关。宽输出供电电压范围（3V至5.5V）和-40°C至125°C的宽工作温度范围，使其能适应多样化的工业应用需求。