STGB7NC60HT4

STGB7NC60HT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用表面贴装DPAK（TO-263AB）封装的高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件隶属于ST先进的PowerMESH产品系列，该架构通过优化的单元设计和制造工艺，在导通损耗与开关性能之间实现了出色的平衡。其核心设计旨在提供稳健的600V电压阻断能力，同时确保在高达25A的集电极电流下具备高效、可靠的开关操作。

该器件的一个显著特点是其较低的饱和压降（Vce(on)），在典型工作条件（Vge=15V， Ic=7A）下最大值仅为2.5V，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。配合35nC的栅极电荷和快速的开关特性（典型开关延迟时间分别为18.5ns和72ns），STGB7NC60HT4能够有效降低开关过程中的能量损耗，并支持更高频率的开关应用。其反向恢复时间（trr）为37ns，有助于在续流二极管换流时减少开关噪声和电压尖峰，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。

在电气参数方面，该器件标称集电极-发射极击穿电压为600V，最大连续集电极电流为25A，脉冲电流能力可达50A，最大功耗为80W。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。标准的输入特性使其易于驱动，可与常见的栅极驱动器电路兼容。用户可通过ST授权代理获取完整的技术资料、样品以及批量采购支持，以确保设计链的顺畅与合规。

基于其性能组合，STGB7NC60HT4非常适合应用于要求高效率和高功率密度的中功率开关场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主逆变级、不同断电源（UPS）、工业电机驱动和变频器、电焊机以及高性能照明镇流器等。其表面贴装DPAK封装提供了良好的散热能力和功率处理能力，同时适应自动化生产流程，有助于简化PCB布局和降低组装成本。

• 型号:STGB7NC60HT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A
• 功率 - 最大值:80 W
• 开关能量:-
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:35 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns
• 测试条件:390V，7A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):37 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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STGB7NC60HT4是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款600V、25A IGBT，采用TO-263AB（DPAK）表面贴装封装。该器件设计用于提供高效的功率开关，其最大饱和压降Vce(on)在15V栅极驱动和7A集电极电流条件下仅为2.5V，有助于显著降低导通损耗。

其开关特性经过优化，具备35nC的低栅极电荷和快速的开关速度（典型td(on)/td(off)为18.5ns/72ns），支持较高频率的操作并减少开关损耗。该器件支持高达150°C的结温工作，最大功耗80W，适用于对可靠性和功率密度有要求的工业级电源与电机控制应用。