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STGD20N40LZ

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT 390V 25A 125W DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,STGD20N40LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGD20N40LZ的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STGD20N40LZ是意法半导体(STMicroelectronics)面向汽车电子及高可靠性工业应用推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive PowerMESH系列,采用先进的沟槽栅场截止技术,在紧凑的DPAK表面贴装封装内实现了功率密度与开关效率的卓越平衡。其核心设计旨在优化中压范围内的开关性能,通过降低饱和压降(Vce(sat))和栅极电荷(Qg),有效减少了导通与开关损耗,为系统能效提升提供了硬件基础。

该器件集成了多项针对严苛应用环境的功能特性。390V的集射极击穿电压为其在汽车12V/24V电池系统或工业三相整流后母线电压(通常低于400V)的应用中提供了充足的安全裕量。25A的连续集电极电流与高达40A的脉冲电流处理能力,使其能够胜任电机驱动、电磁阀控制等存在浪涌电流的负载场景。其逻辑电平输入(标准4V驱动)特性简化了栅极驱动电路设计,可直接由微控制器或标准逻辑电路驱动,降低了系统复杂性和成本。得益于优化的内部结构和封装技术,其在25°C结温下最大功耗可达125W,并支持高达175°C的结温工作,确保了在高温环境下的稳定运行。

在电气参数方面,STGD20N40LZ在典型工作条件下(Vge=4V, Ic=6A)展现出仅1.6V的最大饱和压降,这直接转化为更低的导通损耗和发热。24nC的低栅极电荷有助于实现快速的开关切换,配合其给出的开关时间参数(典型开/关延迟),使其在数十kHz的开关频率下仍能保持高效。其采用TO-252-3(DPAK)封装,具备良好的散热能力和便于自动化生产的表面贴装工艺,同时该产品可通过官方授权的ST代理渠道获取,保障了供应链的可靠性与技术支持。

基于其稳健的性能参数和汽车级认证,STGD20N40LZ非常适用于需要高可靠性和高效能的领域。在汽车应用中,它是发动机管理系统中点火线圈驱动、燃油喷射控制、以及电动助力转向(EPS)或电子水泵等辅助电机驱动的理想选择。在工业领域,该器件可广泛用于开关电源的功率因数校正(PFC)电路、不间断电源(UPS)的逆变模块、电焊机以及小型变频器中的功率开关单元。其表面贴装形式也使其能够适应日益紧凑和高功率密度的现代电子设备设计需求。

  • 型号:STGD20N40LZ
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 390V 25A 125W DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):390 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A
  • 功率 - 最大值:125 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:逻辑
  • 栅极电荷:24 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:700ns/4.3s
  • 测试条件:300V,10A,1 千欧,5V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
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STGD20N40LZ是ST意法半导体推出的AEC-Q101认证汽车级IGBT,采用DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其390V的集射极击穿电压和25A的连续集电极电流能力,为汽车及工业应用提供了坚实的电压和电流处理基础。

其技术亮点包括低至1.6V @ 4V, 6A的饱和压降(Vce(on))以及仅24nC的栅极电荷,这共同确保了器件具有较低的导通损耗和快速的开关特性,有助于提升系统整体能效。125W的最大功耗和高达175°C的结温工作范围,则保证了其在高温、高功率环境下的长期可靠性。

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