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STGD4H60DF

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
原厂封装:封装:DPAK(TO-252)类型 C2
优势价格,STGD4H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGD4H60DF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 型号:STGD4H60DF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK(TO-252)类型 C2
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,3A
  • 功率 - 最大值:75 W
  • 开关能量:68J(导通),45J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:35 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:35ns/121ns
  • 测试条件:400V,3A,47 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):73 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK(TO-252)类型 C2
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