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STGF14N60D

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT 600V 11A TO-220FP
原厂封装:封装:TO-220FP
优势价格,STGF14N60D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGF14N60D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STGF14N60D是意法半导体(STMicroelectronics)基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款分立式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件采用TO-220FP封装,集成了快速恢复二极管,专为在中等功率开关应用中实现高效率与高可靠性而设计。其核心架构优化了载流子寿命与漂移区特性,在导通损耗与开关速度之间取得了良好平衡,从而在600V的电压等级下提供了稳健的性能表现。

该器件具备多项突出的功能特性。其集电极-发射极饱和电压(Vce(sat))典型值较低,在15V栅极驱动电压、7A集电极电流的测试条件下,最大值仅为2.1V,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时,其集电极连续电流(Ic)额定值为11A,脉冲电流(Icm)能力可达50A,提供了充足的电流处理余量,增强了系统在瞬态条件下的鲁棒性。集成的快速恢复二极管反向恢复时间(trr)仅为37ns,有效降低了续流过程中的开关损耗和电压尖峰,简化了电路设计。

在接口与参数方面,STGF14N60D采用标准电平驱动,与常见的15V栅极驱动器兼容,便于集成到现有的控制电路中。其最大功耗为33W,采用通孔安装的TO-220FP封装,这种封装在提供良好散热性能的同时,也兼顾了机械强度与电气隔离。尽管该产品目前已处于停产状态,但通过正规的ST代理商渠道,工程师仍可获得可靠的技术支持与供应链信息,用于现有设计的维护或特定场景的评估。

得益于其600V的击穿电压和高效的开关特性,STGF14N60D非常适用于一系列离线式功率转换与电机控制场景。典型的应用包括工业级开关模式电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)电路和逆变级、不间断电源(UPS)的直流-交流逆变模块,以及家用电器如空调、洗衣机中的变频电机驱动器。在这些应用中,它能够有效处理高电压、大电流的开关任务,是实现紧凑、高效功率解决方案的关键元件之一。

  • 型号:STGF14N60D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220FP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 11A TO-220FP
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):11 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,7A
  • 功率 - 最大值:33 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:-
  • 25°C 时 Td(开/关)值:-
  • 测试条件:390V,7A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):37 ns
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FP
  • 想获取STGF14N60D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGF14N60D是意法半导体推出的一款采用TO-220FP封装的600V、11A绝缘栅双极型晶体管(IGBT),隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件集成了快速恢复二极管,专为提升开关电源和电机驱动应用的效率而优化。

其核心优势在于较低的导通损耗,在7A电流下最大饱和压降仅为2.1V,同时具备50A的脉冲电流处理能力,确保了系统的稳定与可靠。集成的二极管具有37ns的快速反向恢复时间,有助于降低开关噪声和损耗。这些特性使其成为中功率离线式转换和变频控制的理想选择。

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