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STGF30NC60S

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT 600V 22A TO-220FP
原厂封装:封装:TO-220FP
优势价格,STGF30NC60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGF30NC60S的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STGF30NC60S是意法半导体(STMicroelectronics)基于其成熟的PowerMESH技术平台开发的一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件采用TO-220FP封装,集成了快速恢复二极管,为功率开关应用提供了一个高度集成的解决方案。其内部结构经过优化,在导通损耗和开关速度之间取得了良好的平衡,适用于对效率和可靠性有较高要求的工业环境。

该器件具备600V的集电极-发射极击穿电压22A的连续集电极电流能力,脉冲电流(Icm)更可高达150A,展现出强大的过载承受力。其标准输入类型设计,确保了与常见驱动电路的兼容性。在导通特性上,在15V栅极电压、20A集电极电流的典型工作条件下,其饱和压降Vce(on)最大值仅为1.9V,这意味着在导通状态下的功耗较低,有助于提升系统整体能效。其开关性能参数,如21.5ns的典型开通延迟和180ns的关断延迟,配合300J(开通)与1.28mJ(关断)的开关能量,表明它在中等频率的开关应用中能够保持可观的性能。

在电气参数方面,96nC的栅极电荷值降低了驱动电路的设计复杂度与功耗。器件标称的最大功耗为40W,结合其宽泛的结温工作范围(-55°C至150°C),为散热设计提供了充裕的余量。其封装形式为通孔安装的TO-220-3,这种经典的封装具有良好的机械强度和成熟的焊接工艺,便于在各类电源板和电机驱动板上进行安装。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取该产品的库存、替代方案或历史设计支持。

凭借其稳健的电气特性,STGF30NC60S非常适合于工业电机驱动、不同断电源(UPS)、焊接设备和开关电源(SMPS)等应用场景。在这些领域中,它常被用于构建逆变桥、功率因数校正(PFC)电路以及直流-交流转换模块,是实现电能高效转换与控制的核心功率开关元件之一。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备的维护、备件更换以及某些对成本敏感且技术成熟的设计中,它仍然是一个经过市场长期验证的可靠选择。

  • 型号:STGF30NC60S
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220FP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 22A TO-220FP
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):22 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,20A
  • 功率 - 最大值:40 W
  • 开关能量:300J(导通),1.28mJ(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:96 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:21.5ns/180ns
  • 测试条件:480V,20A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FP
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STGF30NC60S是ST意法半导体推出的一款采用TO-220FP封装的600V、22A IGBT功率器件,隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件集成了快速恢复二极管,为标准输入驱动设计,提供了高集成度的功率开关解决方案。

其核心电气特性包括高达150A的脉冲电流承受能力,以及在20A电流下典型值仅为1.9V的低饱和压降(Vce(on)),这有效降低了导通损耗。96nC的低栅极电荷和优化的开关能量(开通300J,关断1.28mJ)使其在开关性能与效率之间取得良好平衡,适用于频率要求中等的应用。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C,最大功耗40W,确保了在严苛工业环境下的可靠运行。

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