STGF5H60DF

STGF5H60DF是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用TO-220-3封装的高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件基于先进的沟槽栅场截止（Trench Gate Field-Stop）技术构建，这一架构通过在芯片内部集成一个场截止层，有效优化了漂移区的电场分布，从而在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了导通损耗和开关损耗。其集电极-发射极击穿电压高达600V，最大集电极电流为10A，脉冲电流能力可达20A，为中等功率应用提供了坚实的电气基础。

得益于其核心架构，该器件展现出优异的电气特性。在标准15V栅极驱动电压、5A集电极电流条件下，其饱和压降Vce(on)典型值较低，最大值仅为1.95V，这意味着在导通状态下的功耗被控制在很低的水平，有助于提升系统整体效率。开关性能是其另一突出优势，在400V、5A、47欧姆、15V的测试条件下，其开启延迟时间仅为30ns，关断延迟时间为140ns，总的开关能量损耗（Eon+Eoff）较低，这使其能够胜任较高频率的开关操作。同时，其栅极电荷仅为43nC，有助于简化驱动电路设计并降低驱动损耗。反向恢复时间（trr）为134.5ns，与快速恢复二极管配合使用时，能有效减少关断过程中的电压尖峰和损耗。

该器件采用标准输入类型，与多数通用IGBT驱动器兼容，便于系统集成。其最大功耗为24W，结合TO-220-3通孔封装，提供了良好的散热路径和安装便利性。工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

综合其技术参数，STGF5H60DF非常适用于要求高效率、高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主逆变级、不同断电源（UPS）、电机驱动与变频器、电焊机以及光伏逆变器等。在这些场景中，其平衡的导通与开关特性，能够帮助设计工程师在效率、功率密度和系统成本之间取得优化，是实现紧凑型、高性能功率电子系统的理想选择之一。

• 型号:STGF5H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-220FP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:24 W
• 开关能量:56J（导通），78.5J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:43 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns
• 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220FP
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STGF5H60DF是意法半导体推出的一款600V、10A沟槽栅场截止型IGBT，采用标准TO-220-3通孔封装。该器件在15V栅极驱动下，于5A电流时具有低至1.95V（最大值）的饱和压降，有效降低了导通损耗。其开关特性优异，开启与关断延迟时间短，总开关能量损耗低，栅极电荷小，适合较高频率的开关操作。

器件工作结温范围宽（-55°C至175°C），确保了高温环境下的稳定性。凭借其平衡的电气性能与坚固的封装，STGF5H60DF主要面向对效率和可靠性有较高要求的应用，如开关电源、UPS、电机驱动及工业变频器等功率转换与控制系统。