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STGHU30M65DF2AG的图片

STGHU30M65DF2AG

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT TRENCH FS 650V 84A HU3PAK
原厂封装:封装:HU3PAK
优势价格,STGHU30M65DF2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGHU30M65DF2AG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 型号:STGHU30M65DF2AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:HU3PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 84A HU3PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):84 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值:441 W
  • 开关能量:210J(导通),1.147mJ(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:90 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:22ns/151ns
  • 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):223 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
  • 供应商器件封装:HU3PAK
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