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STGP8NC60K

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT 600V 15A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,STGP8NC60K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGP8NC60K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STGP8NC60K是意法半导体(STMicroelectronics)基于其成熟的PowerMESH技术平台开发的一款分立式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件采用TO-220-3通孔封装,集成了IGBT与快速恢复二极管的经典结构,旨在为中等功率开关应用提供一个高效、可靠的解决方案。其核心设计平衡了导通损耗与开关速度,在600V的集射极击穿电压下,能够稳定承载高达15A的连续集电极电流,脉冲电流能力更可达到30A。

该器件的一个显著特点是其优化的导通特性,在标准15V栅极驱动电压、3A集电极电流条件下,饱和压降Vce(on)典型值较低,这直接有助于降低导通状态下的功率损耗,提升系统整体能效。其开关性能经过精心调校,开启延迟时间与关断延迟时间分别典型值为17ns和72ns,结合55J的开启能量与85J的关断能量,使其在数十kHz的开关频率下能够保持良好的动态表现与热管理特性。其输入为标准电平,栅极电荷仅为19nC,这降低了对栅极驱动电路的要求,简化了设计。

在电气参数方面,STGP8NC60K标称最大功耗为65W,结合其宽泛的结温工作范围(-55°C至150°C),为系统在苛刻环境下的稳定运行提供了保障。其TO-220封装具有良好的机械强度和成熟的散热处理兼容性,便于通过散热器进行有效的热管理。尽管该产品目前已处于停产状态,但在其生命周期内,它凭借稳定的性能和ST意法半导体的品质保障,在市场上建立了良好的声誉,用户仍可通过可靠的渠道如ST中国代理获取库存或替代方案咨询。

该器件典型的应用场景涵盖各类需要高效功率转换与控制的领域。它非常适合用于开关模式电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)电路、电机驱动器的逆变桥臂、不同断电源(UPS)的功率级以及工业焊接设备中的高频逆变器。在这些应用中,其600V的耐压足以应对三相交流整流后的直流母线电压,而15A的电流能力使其能够胜任多数家用电器及中小型工业设备的驱动需求,是实现紧凑、高效功率变换系统的关键元件之一。

  • 型号:STGP8NC60K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 15A TO-220
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,3A
  • 功率 - 最大值:65 W
  • 开关能量:55J(导通),85J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:19 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:17ns/72ns
  • 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
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STGP8NC60K是ST意法半导体推出的一款采用TO-220封装的600V、15A分立IGBT。该器件基于PowerMESH技术,在标准15V栅极驱动下,具有较低的饱和压降(典型2.75V @ 3A),有助于减少导通损耗,提升能效。

其开关特性经过优化,开启与关断延迟时间短,开关能量值均衡,确保了在中等开关频率下的高效与可靠运行。最大65W的功耗处理能力与-55°C至150°C的宽结温范围,使其能够适应多种环境要求。该器件主要面向开关电源、电机驱动、UPS等需要高效功率开关的工业与消费电子应用。

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