STGW50H60DF

STGW50H60DF是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用TO-247-3封装的高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件基于先进的沟槽型场截止技术构建，这一架构通过在集电极侧引入场截止层，有效优化了漂移区的电场分布，从而在保持高击穿电压的同时显著降低了饱和压降和开关损耗。其核心设计旨在实现导通损耗与开关速度之间的优异平衡，为高功率密度和高效率的应用提供了可靠的半导体解决方案。

该IGBT在标准输入信号下工作，其集电极-发射极饱和压降Vce(on)典型值仅为1.8V（测试条件：Vge=15V， Ic=50A），这意味着在额定电流下导通损耗极低，有助于提升系统整体能效。同时，器件具备出色的开关性能，在400V、50A的典型测试条件下，其开通延迟时间（Td(on)）为62纳秒，关断延迟时间（Td(off)）为178纳秒，配合55纳秒的快速反向恢复时间，使其能够胜任较高频率的开关操作，减少开关过程中的能量损耗。其开关能量参数（开通890J，关断860J）与217nC的栅极电荷值，为驱动电路的设计提供了明确的参考，确保开关过程的快速与可控。

在电气参数方面，STGW50H60DF额定集电极电流为100A，脉冲电流能力可达200A，并拥有高达600V的集射极击穿电压，提供了充足的电压裕量以应对工业环境中的电压尖峰。其最大功耗为360W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，赋予了该器件强大的功率处理能力和环境适应性。通孔式的TO-247封装是工业级功率器件的经典选择，具有良好的机械强度和散热特性，便于安装在散热器上以实现高效的热管理。用户可通过ST授权代理获取该产品的技术支持和供应链服务。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术特性决定了它曾广泛应用于要求严苛的工业与能源领域。典型应用场景包括但不限于中大功率的电机驱动与变频器、不同断电源（UPS）系统、太阳能逆变器以及焊接设备等。在这些应用中，其高电流能力、低导通压降和稳健的开关特性，能够有效提升功率转换级的效率与可靠性，是构建紧凑、高效功率模块的核心组件之一。

• 型号:STGW50H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A
• 功率 - 最大值:360 W
• 开关能量:890J（导通），860J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:217 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:62ns/178ns
• 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):55 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 想获取STGW50H60DF的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGW50H60DF是意法半导体生产的一款600V/100A沟槽场截止型IGBT，采用TO-247-3封装。其核心优势在于优异的导通与开关特性平衡，在15V栅极驱动、50A集电极电流条件下，饱和压降典型值低至1.8V，有助于显著降低导通损耗。

该器件开关性能稳健，开通与关断延迟时间分别为62ns和178ns，反向恢复时间仅为55ns，适合中等频率的开关应用。其集电极脉冲电流能力达200A，最大功耗360W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业功率变换系统中的高可靠性与耐用性。