STGW50H65DFB2-4

STGW50H65DFB2-4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的沟槽栅场截止（Trench Gate Field-Stop）技术平台开发的一款高性能单管IGBT。该器件采用优化的纵向结构，通过在集电极侧引入场截止层，有效减薄了漂移区厚度，从而在维持高击穿电压的同时显著降低了通态压降和开关损耗。其核心架构旨在实现低导通损耗与快速开关特性的理想平衡，为高功率密度和高效率应用提供了坚实的硬件基础。

该器件集成了多项旨在提升系统可靠性与性能的功能特性。其650V的集射极击穿电压使其能够从容应对工业环境中常见的电压波动与浪涌，为功率转换拓扑提供了充足的安全裕量。在15V栅极驱动电压、50A集电极电流条件下，其最大饱和压降（Vce(on)）仅为2V，这一优异的导通特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其开关特性经过精心优化，开关能量（Eon/Eoff）分别为629J和478J，配合18ns的开启延迟和128ns的关断延迟，确保了在高频开关应用中既能保持快速的动态响应，又能有效控制开关损耗和电磁干扰（EMI）。

在接口与关键参数方面，STGW50H65DFB2-4标称集电极电流为86A，脉冲电流能力高达150A，展现出强大的过载和浪涌电流处理能力，峰值功率处理能力达272W。其标准输入类型和151nC的栅极电荷值，意味着其对栅极驱动电路的要求较为友好，易于设计和匹配。器件采用经典的TO-247-4四引脚通孔封装，额外的开尔文发射极引脚有助于实现更优的栅极驱动回路，减少寄生电感对开关性能的影响，从而进一步提升开关速度和稳定性。其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，宽温域设计保障了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

得益于其高电压、大电流、低损耗及快速开关的综合优势，STGW50H65DFB2-4非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的工业级应用场景。它是三相电机驱动、伺服驱动器、变频器和电焊机等设备的理想功率开关选择。此外，在光伏逆变器、不同断电源（UPS）以及各类开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和DC-AC逆变环节中，该器件也能充分发挥其性能潜力，帮助系统设计实现更高的能效等级和更紧凑的尺寸。

• 型号:STGW50H65DFB2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:86 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A
• 功率 - 最大值:272 W
• 开关能量:629J（导通），478J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:151 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/128ns
• 测试条件:400V，50A，12 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):92 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-4
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 想获取STGW50H65DFB2-4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGW50H65DFB2-4是意法半导体推出的一款650V、86A沟槽栅场截止型单管IGBT，隶属于HB2产品系列。该器件在15V栅压、50A电流下的典型饱和压降仅为2V，结合629J（开启）与478J（关断）的较低开关能量，实现了导通损耗与开关损耗的优异平衡，有助于提升系统整体效率。

其设计兼顾了高性能与鲁棒性，具备150A的脉冲电流处理能力和高达272W的功率容量，工作结温范围宽达-55°C至175°C。采用TO-247-4封装并集成开尔文发射极引脚，优化了驱动回路，支持更高频率和更稳定的开关操作。这些特性使其成为工业电机驱动、变频器、UPS及太阳能逆变器等中高功率应用的可靠核心开关元件。