STGW80H65DFB-4

ST意法半导体推出的STGW80H65DFB-4是一款采用TO-247-4封装的高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件基于先进的沟槽型场截止技术平台构建，这一架构在实现低导通压降与快速开关特性之间取得了优异平衡。其集电极-发射极击穿电压高达650V，最大集电极电流为120A，脉冲电流能力更可达240A，为高功率密度设计提供了坚实的硬件基础。

在电气性能方面，该IGBT在典型工作条件下（15V栅极驱动、80A集电极电流）展现出低于2V的饱和压降，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其开关特性尤为突出，总开关能量（E_on + E_off）仅为3.6mJ，配合85ns的反向恢复时间和优化的栅极电荷（414nC），使得器件在硬开关和软开关拓扑中均能实现高频、高效的功率转换。这些特性共同确保了系统在提升开关频率以减小无源元件体积的同时，仍能维持出色的热管理和可靠性。

该器件设计为标准输入类型，易于驱动，其通孔TO-247-4封装提供了优异的散热路径和机械强度。其结温工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应的客户，可以通过授权的ST代理商获取此产品及相关技术支持。

凭借650V的电压等级、高电流处理能力以及优化的开关性能，STGW80H65DFB-4非常适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机和各类大功率开关电源等应用场景。它能够有效提升这些系统的功率密度、能效和整体可靠性，是现代电力电子系统设计的理想功率开关选择。

• 型号:STGW80H65DFB-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-4
• 供应商器件封装:TO-247-4
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STGW80H65DFB-4是ST意法半导体推出的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-4封装。其核心优势在于优异的电气特性平衡，在15V栅极驱动、80A电流条件下，饱和压降典型值低于2V，确保了低导通损耗。

该器件具备快速的开关性能，总开关能量低至3.6mJ，反向恢复时间仅为85ns，这使其非常适合高频开关应用，有助于提升系统功率密度和效率。其宽泛的结温工作范围（-55°C 至 175°C）和高达469W的功率处理能力，进一步保证了其在工业级高功率应用中的可靠性与鲁棒性。