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STGWS38IH130D

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT 1300V 55A TO-247
原厂封装:封装:TO-247
优势价格,STGWS38IH130D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGWS38IH130D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

意法半导体推出的STGWS38IH130D是一款采用TO-247-3封装的高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件基于成熟的平面栅技术,集成了快速恢复二极管,其核心设计旨在实现高压、大电流条件下的高效功率开关。得益于优化的硅片工艺和封装技术,它在导通损耗与开关速度之间取得了良好的平衡,适用于对可靠性和性能有较高要求的工业环境。

该器件具备1300V的集射极击穿电压55A的连续集电极电流能力,脉冲电流(Icm)更可高达125A,展现出强大的过载耐受性。其标准电平输入特性简化了栅极驱动设计。在典型工作条件下(Vge=15V, Ic=20A),饱和压降Vce(on)最大值为2.8V,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提升系统整体效率。其关断开关能量为3.4mJ,结合284ns的关断延迟时间,使其在中等开关频率应用中能有效控制开关损耗。

在接口与关键参数方面,127nC的栅极电荷对驱动电路提出了适中的要求。器件最大功耗为180W,结合通孔安装的TO-247封装,为散热设计提供了便利。其结温工作范围宽达-55°C至150°C,确保了在严苛温度环境下的稳定运行。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

这款属于PowerMESH产品系列的IGBT,主要面向需要高耐压和稳健性能的工业应用场景。它非常适用于电机驱动、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器和工业焊接设备的功率转换级。在这些应用中,其高电压阻断能力和良好的开关特性,能够有效构建高效、紧凑的功率拓扑结构,尽管该型号目前已处于停产状态,但在许多现有设备和备件市场中仍具重要参考价值。

  • 型号:STGWS38IH130D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 1300V 55A TO-247
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1300 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):55 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,20A
  • 功率 - 最大值:180 W
  • 开关能量:3.4mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:127 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:-/284ns
  • 测试条件:960V,20A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247
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STGWS3838IH130D是ST意法半导体推出的一款高压IGBT,采用TO-247封装。其核心特性包括1300V的集射极击穿电压和55A的连续集电极电流,最大饱和压降为2.8V @ 15V, 20A,有助于在高压大电流工况下实现较低的导通损耗。

该器件关断开关能量为3.4mJ,最大功耗180W,工作结温范围-55°C至150°C,具备标准输入电平和127nC的栅极电荷。这些参数使其成为工业电机驱动、UPS和光伏逆变器等中高功率应用场景中,构建高效、可靠功率开关电路的合适选择。

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