STH110N10F7-6

STH110N10F7-6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构和创新的单元设计，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关性能。其核心在于DeepGATE技术的应用，通过增强栅极控制能力，有效平衡了导通损耗与开关损耗之间的矛盾，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，能够提供极低的导通电阻，典型值仅为6.5毫欧（在55A条件下测量）。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Q_g）被控制在72nC（@10V）的水平，结合适中的输入电容，意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达150W（T_C）的功率耗散能力，确保了器件在苛刻环境下的可靠性与鲁棒性。用户可以通过官方ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

在电气参数方面，STH110N10F7-6的额定漏源电压（V_DSS）为100V，连续漏极电流（I_D）在壳温25°C时可达110A，能够承受较高的功率等级。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了安全的驱动裕量。器件采用H2PAK-6封装，这是一种表面贴装型功率封装，具有良好的散热性能和功率循环能力，便于在紧凑的PCB布局中实现高功率密度设计。其阈值电压V_GS(th)最大值为4.5V，具备明确的导通特性。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和良好的开关特性，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的场合。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制（如电动工具、工业电机）、不间断电源（UPS）系统以及大电流负载开关。在这些应用中，它能够有效降低系统能耗，提升整体性能与可靠性。

• 型号:STH110N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH110N10F7-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII与DeepGATE技术的产品系列。该器件在100V的漏源电压（V_DSS）额定值下，能够支持高达110A（T_C=25°C）的连续漏极电流，并采用H2PAK-6表面贴装封装，适用于高功率密度设计。

其核心电气优势体现在极低的导通电阻，在10V V_GS和55A I_D条件下，R_DS(on)最大值仅为6.5mΩ，这能显著降低功率传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g @10V最大72nC）有助于实现高效的开关性能，降低驱动需求。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。