STH110N7F6-2

ST意法半导体推出的STH110N7F6-2是一款基于先进STripFET F6技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构和沟槽栅工艺，旨在实现极低的单位面积导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计聚焦于降低传导与开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要，特别是在高频开关应用中。该芯片的先进架构确保了在高温和高电流工作条件下的稳定性和可靠性，为设计工程师提供了坚实的性能基础。

在功能特性方面，68V的漏源电压（Vdss）额定值使其非常适合48V总线系统的应用，提供了充足的设计裕量。其在25°C壳温下连续漏极电流（Id）高达80A，并配合极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为6.3毫欧（在55A，10V条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的功率转换效率。此外，该器件具备优化的栅极电荷（Qg）特性，最大值仅为100nC，有助于降低驱动损耗并简化栅极驱动电路的设计，从而实现更快的开关速度和更高的工作频率。

该MOSFET采用H2PAK-2表面贴装封装，这种封装形式提供了优异的散热性能和功率处理能力，其最大功率耗散可达176W（Tc）。电气参数方面，其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，驱动电压为10V，确保了稳健的驱动兼容性。阈值电压Vgs(th)最大为4V，提供了良好的噪声抑制能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要本地化技术支持和供应链保障的用户，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料和设计支持。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，STH110N7F6-2非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）、电机驱动与控制、以及不间断电源（UPS）和电动工具中的功率开关模块。它是构建高效、紧凑型功率解决方案的关键元件。

• 制造商产品型号：STH110N7F6-2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：68V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.3 毫欧 @ 55A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5850pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：176W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2Pak-2
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STH110N7F6-2是ST意法半导体STripFET F6系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2封装。该器件设计用于高效功率转换，其核心优势在于68V的漏源电压额定值与高达80A的连续漏极电流承载能力相结合，为48V系统应用提供了可靠的开关解决方案。

其关键技术参数包括极低的导通电阻（典型值6.3mΩ @ 55A, 10V）和优化的栅极电荷（最大值100nC @ 10V），这共同实现了较低的传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体效率。宽工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在各种环境条件下的稳定运行，适用于要求严苛的工业与汽车应用。