STH12N120K5-2

作为ST意法半导体MDmesh K5系列中的一员，STH12N120K5-2是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于ST专有的MDmesh K5技术平台，该平台通过优化的垂直结构和电荷平衡原理，在单位面积内实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的卓越平衡。这种设计显著降低了传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换系统奠定了坚实基础。

该器件具备多项突出的功能特性。高达1200V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级高压环境下的电压应力。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）额定值为12A，结合低至690毫欧（在6A，10V条件下）的导通电阻，确保了在导通状态下优异的大电流处理能力和较低的功率耗散。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了系统的鲁棒性。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值44.2nC @ 10V）和输入电容（Ciss）有助于实现快速开关，减少开关过程中的延迟和损耗，这对于高频应用至关重要。

在接口与关键参数方面，该MOSFET采用表面贴装型H2PAK-2封装，这种封装具有良好的热性能和功率循环能力，其最大功率耗散能力在壳温条件下可达250W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品及批量采购服务。这些电气与物理参数的组合，精准地定义了其在高压、高效率应用中的性能边界。

基于其高压、低损耗和高可靠性的特点，STH12N120K5-2非常适合于要求苛刻的功率电子应用场景。典型应用包括工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机以及各类开关模式电源（SMPS）的功率级。在这些领域中，它能够有效提升系统整体能效，减小散热器尺寸，并增强系统在高压条件下的长期运行稳定性。

• 型号:STH12N120K5-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH12N120K5-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心优势在于结合了1200V的漏源电压（Vdss）与12A的连续漏极电流（Id）处理能力，同时通过优化的技术实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的平衡。

其电气参数，如690mΩ @ 6A, 10V的导通电阻和44.2nC @ 10V的栅极电荷，直接转化为更低的传导与开关损耗，有助于提升系统效率。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，支持高达250W的功率耗散，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性与稳定性。