STH13N120K5-2AG

作为ST意法半导体旗下高性能功率半导体产品线的重要成员，STH13N120K5-2AG是一款采用先进技术打造的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术，其核心架构经过优化，旨在实现高压环境下的高效率与高可靠性。其设计重点在于平衡导通损耗与开关损耗，通过精细的单元结构和先进的制造工艺，在高达1200V的漏源电压下，依然能提供出色的电气性能。

该器件具备多项关键特性，使其在高压应用中脱颖而出。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和6A漏极电流条件下，典型值仅为690毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在44.2nC，这有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更迅速。其高达250W（Tc）的功率耗散能力，结合H2PAK-2封装优异的散热性能，确保了器件在严苛工况下的稳定运行。

在接口与参数方面，STH13N120K5-2AG提供了全面的电气规格保障。其连续漏极电流（Id）在壳温25°C时可达12A，栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了充足的驱动安全裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）在100V Vds下最大为1370pF，这些参数共同定义了其动态开关特性。该器件采用表面贴装型H2PAK-2封装，不仅节省PCB空间，也便于自动化生产。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能适应从工业到汽车等各种环境。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持和供应保障。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严格要求的领域。典型的应用场景包括工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机以及各类开关电源的功率转换级。在这些系统中，它常被用作主开关管或同步整流管，是实现高效能量转换的核心元件之一。

• 型号:STH13N120K5-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH13N120K5-2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2表面贴装封装。其核心规格包括1200V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至690毫欧（@6A），有效降低了传导损耗。同时，最大44.2nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，从而提升整体系统效率。其250W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在 demanding 环境下的可靠运行。