STH140N6F7-2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STH140N6F7-2是一款基于先进STripFET VII技术平台与DeepGATE工艺的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体能效。其核心架构针对高电流密度和快速开关进行了专门优化，确保了在严苛工作条件下的可靠性与稳定性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为60V，适用于中压应用场景。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值高达80A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3毫欧，这一极低的导通阻抗直接转化为更低的通态压降和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大值为40nC，较低的栅极电荷需求有助于简化驱动电路设计，并实现更高的开关频率，减少开关过程中的能量损失。

在封装与接口方面，STH140N6F7-2采用表面贴装型的H2PAK-2封装。这种封装形式提供了优异的散热性能和功率密度，其最大功率耗散（Tc）为158W，结合高达175°C的结温（TJ）额定值，使其能够承受较高的热应力，适合高功率密度设计。器件的栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了足够的驱动安全裕度。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为2700pF，与低栅极电荷特性共同决定了其快速的开关响应。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，STH140N6F7-2非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动与控制、不间断电源（UPS）系统以及各类工业电源。在这些场景中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，最终实现更紧凑、更高效的电源解决方案设计。

• 型号:STH140N6F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH140N6F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII和DeepGATE技术的产品系列。该器件设计用于提供卓越的功率处理效率，其关键参数包括60V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流额定值。

其核心优势在于极低的功率损耗特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至3毫欧（@40A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC（@10V）。这种低Rds(on)与低Qg的优化组合，使其在开关电源和电机驱动等应用中能同时实现低传导损耗和低开关损耗。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，支持高达158W（Tc）的功率耗散和175°C的结温，确保了在高功率密度设计中的可靠运行。