STH140N6F7-6

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STH140N6F7-6是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件基于先进的沟槽栅工艺制造，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性之间的平衡。其H2PAK-6封装不仅提供了优异的散热性能，还通过优化的内部布局减少了寄生电感，这对于高频开关应用至关重要。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍代表了特定应用领域对高效功率开关的经典需求。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，能够展现出极低的导通电阻，典型值仅为3.2毫欧（在40A条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其连续漏极电流在壳温条件下可达80A，漏源击穿电压为60V，使其能够胜任中高功率的开关任务。此外，栅极电荷（Qg）最大值控制在55nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其工作结温高达175°C，确保了在严苛热环境下的可靠运行。

在电气参数方面，STH140N6F7-6的阈值电压Vgs(th)最大值为4V，这提供了良好的噪声免疫性。其栅源电压可承受±20V的范围，为驱动设计提供了裕量。器件采用表面贴装型H2PAK-6封装，这种封装形式具有较低的封装热阻，有助于将芯片产生的热量（最大功耗158W）有效地传递到散热器或PCB上。对于需要此类高性能、已停产器件的设计维护或特定项目，用户可以通过专业的ST芯片代理渠道获取库存或替代方案咨询。

这款MOSFET典型的应用场景包括高效率的DC-DC转换器、电机驱动控制器、以及各类电源管理模块。其低Rds(on)和高电流处理能力使其非常适合作为同步整流拓扑中的下管开关，或用于电机H桥驱动电路中的功率开关元件。在工业自动化、通信电源和汽车电子（如辅助驱动系统）等领域，此类器件能够有效提升功率密度和整体能效，尽管在新设计中需考虑其停产状态并评估替代型号。

• 型号:STH140N6F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH140N6F7-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（3.2毫欧@10V, 40A）与高达80A的连续漏极电流能力，这使其在传导损耗方面表现优异，适用于高效率功率转换场景。

器件具备60V的漏源电压额定值，栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速的开关速度并降低开关损耗。其设计支持175°C的最高工作结温，确保了在高温环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为电机驱动、同步整流和各类开关电源设计中追求高功率密度与高能效的关键功率开关元件选择。