STH145N8F7-2AG

STH145N8F7-2AG是ST意法半导体推出的面向汽车电子应用的高性能N沟道功率MOSFET。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive STripFET F7产品系列，其设计核心在于优化功率密度与开关效率的平衡。它采用先进的沟槽栅极工艺和专有的STripFET F7技术，通过在单元结构和芯片布局上的创新，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G），从而在紧凑的封装内实现了优异的电流处理能力和更低的开关损耗。

该MOSFET的电气性能表现突出，其漏源击穿电压（V_DSS）为80V，能够为12V或24V汽车电池系统提供充足的电压裕量，确保系统在负载突降等瞬态条件下的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）高达90A，峰值电流处理能力强劲。尤为关键的是，其在10V栅极驱动电压、45A测试条件下的典型导通电阻低至4mΩ（最大值），这一极低的R_DS(on)值直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体能效并减少热管理需求。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，与标准逻辑电平驱动兼容性良好，同时提供了较强的抗干扰能力。

在动态特性方面，ST代理商提供的技术资料显示，STH145N8F7-2AG在10V V_GS下的总栅极电荷（Q_G）典型值控制得较低，这有助于降低栅极驱动电路的功耗，并实现更快的开关速度，从而减少开关过程中的功率损耗。其输入电容（C_iss）在40V V_DS下为6340pF，结合优化的Qg，使得该器件在高频开关应用中仍能保持高效。器件采用H2PAK-2（也称HPAK-2）表面贴装封装，该封装具有极低的封装寄生电感和优异的热性能，其裸露的金属焊盘便于将热量直接传导至PCB的散热层，最大结温（T_J）可达175°C，在壳温（T_C）条件下最大功率耗散为200W，确保了在严苛环境下的稳定运行。

基于其高可靠性、高效率和高功率密度特性，STH145N8F7-2AG非常适用于对空间和能效有严格要求的汽车电子系统。其主要应用场景包括电动助力转向（EPS）系统、48V/12V DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）中的主开关或保护开关、电机驱动控制（如风扇、泵类）以及先进的启停系统。在这些应用中，它能够有效承担功率开关、同步整流或负载开关的角色，助力设计工程师构建更紧凑、更高效、更可靠的下一代汽车电子解决方案。

• 型号:STH145N8F7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH145N8F7-2AG是ST意法半导体推出的一款通过AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET，属于STripFET F7系列。该器件采用先进的工艺技术，在H2PAK-2封装内实现了卓越的电气性能，其核心优势在于极低的导通电阻（4mΩ @ 10V, 45A）与高电流处理能力（90A连续漏极电流）的出色结合，这直接带来了更低的传导损耗和更高的功率密度。

该MOSFET设计用于80V电压系统，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合200W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛的汽车环境下的长期可靠性与稳定性，是汽车动力总成、电源转换及电机控制等应用的理想选择。