STH150N10F7-2

STH150N10F7-2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和制造工艺，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的卓越平衡，从而在100V的电压等级下提供高效率的功率开关性能。其核心架构继承了DeepGATE系列的设计理念，通过增强的栅极控制能力和优化的电荷分布，显著提升了开关速度并降低了开关损耗，为高频应用场景奠定了坚实基础。

该器件在25°C（壳温）条件下可支持高达110A的连续漏极电流，其导通电阻在10V驱动电压、55A电流条件下典型值仅为3.9毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统能效。极低的Rds(On)特性是其核心优势之一。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为117nC，较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化驱动设计并进一步提升开关频率。其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±20V，提供了更宽的安全工作裕度。

在封装与热管理方面，STH150N10F7-2采用表面贴装型H2PAK-2封装。这种封装形式具有良好的热性能和功率耗散能力，在壳温条件下最大功率耗散可达250W，结合其-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了器件在严苛环境下的可靠性与稳定性。其输入电容（Ciss）在50V条件下最大为8115pF，这一参数与栅极电荷共同决定了器件的动态开关特性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和稳健的热性能，此MOSFET非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用领域。典型应用包括工业电机驱动、大功率DC-DC转换器、不间断电源（UPS）系统以及电动汽车相关的辅助电源和电池管理系统。在这些场景中，它能够有效提升系统整体效率，减少散热需求，并增强功率级的可靠性。

• 型号:STH150N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH150N10F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII技术，封装形式为H2PAK-2。该器件设计用于100V电压等级的应用，在25°C壳温下可承受高达110A的连续漏极电流，并具备250W的最大功率耗散能力。

其核心电气特性表现为极低的导通电阻，在10V Vgs、55A Id条件下典型值仅为3.9mΩ，这显著降低了传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在117nC（@10V），有助于实现高效率的快速开关操作。这些参数使其成为要求高电流处理能力与高开关效率的功率转换系统的理想选择。