STH15NB50FI

意法半导体推出的STH15NB50FI是一款采用N沟道技术的功率MOSFET，隶属于其先进的PowerMESH产品系列。该器件采用ISOWATT-218通孔封装，集成了优化的垂直架构，旨在实现高电压下的低导通损耗与出色的开关性能。其核心设计通过精细的单元密度和先进的沟槽工艺，在500V的漏源电压（Vdss）额定值下，有效平衡了导通电阻与栅极电荷等关键参数，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

在功能特性上，STH15NB50FI展现出显著的优势。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、7.5A电流条件下典型值仅为360毫欧，这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在80nC（@10V），结合±30V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着该MOSFET能够实现快速、干净的开关切换，并具备较强的栅极驱动鲁棒性，简化了外围驱动电路的设计。对于寻求可靠货源的设计者，可以通过授权的ST一级代理获取相关的技术支持和库存信息。

该器件的接口与电气参数为其在严苛环境中的应用提供了保障。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达10.5A，最大功率耗散为80W（Tc），最高结温（Tj）支持到150°C，确保了良好的热性能和持续工作能力。输入电容（Ciss）最大值为3400pF @ 25V，与较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大值5V @ 250A）共同作用，使得器件易于驱动且开关响应迅速。ISOWATT-218封装不仅提供了通孔安装的机械稳固性，其设计也利于散热管理。

基于其500V的高压耐受能力和优异的开关特性，STH15NB50FI非常适用于需要高效能、高可靠性的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及工业照明镇流器等应用场景。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在特定存量项目或对长期可靠性有极高要求的领域仍具参考价值。

• 型号:STH15NB50FI
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOWATT-218
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:ISOWATT-218
• 封装/外壳:ISOWATT-218-3
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STH15NB50FI是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerMESH技术及ISOWATT-218通孔封装。其核心卖点在于高达500V的漏源电压（Vdss）额定值与10.5A（Tc）的连续漏极电流能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。

该器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至360毫欧（@7.5A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为80nC（@10V），这有效降低了导通与开关损耗，提升了系统效率。其设计支持150°C的最高结温（Tj）和80W（Tc）的功率耗散，确保了在严苛环境下的稳定运行与良好的热性能。