STH180N10F3-6

STH180N10F3-6是ST意法半导体基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用H2PAK-6封装，专为高功率密度和高效能应用而设计。其核心架构优化了单元密度和沟槽栅极结构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡，从而在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够处理高达180A（Tc）的连续漏极电流。

该MOSFET的关键特性在于其卓越的功率处理能力和效率。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值极低，在60A电流条件下最大值仅为4.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，有助于减少开关损耗，提升高频开关应用的性能。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了稳健的驱动灵活性，其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要获取官方技术支持和供货信息的用户，可以联系ST中国代理进行咨询。

在接口与参数方面，该表面贴装型器件采用H2PAK-6封装，具有良好的热性能和功率耗散能力，在壳温（Tc）条件下最大功耗为315W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，提供了明确的开关阈值。这些参数共同定义了一个适用于高电流开关场景的强力解决方案。

凭借其高电流承载能力、低导通电阻和坚固的封装，STH180N10F3-6非常适合于要求严苛的功率转换和管理应用。典型应用场景包括服务器和电信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制、不间断电源（UPS）系统以及大功率工业电源。在这些领域中，其高效能特性对于降低能耗、提升功率密度和保证系统稳定运行至关重要。

• 型号:STH180N10F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH180N10F3-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用H2PAK-6表面贴装封装，额定值为100V漏源电压（Vdss）和180A连续漏极电流（Tc），专为处理高功率应用而设计。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和60A Id条件下，Rds(On)最大值仅为4.5mΩ，能显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）有助于提升开关效率。该器件结温工作范围宽（-55°C至175°C），最大功耗达315W（Tc），为高可靠性、高电流的开关电源和电机驱动解决方案提供了关键组件。