STH240N10F7-2

作为ST意法半导体STripFET系列中的高性能功率器件，STH240N10F7-2是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的H2PAK-2表面贴装封装。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。其架构优化了单元密度与栅极电荷之间的平衡，使得在保持高电流处理能力的同时，能够有效降低开关过程中的能量损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该器件的显著特性体现在其优异的电气参数上。它具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和高达180A的连续漏极电流（Id）能力，为高功率应用提供了坚实的电压和电流裕量。更关键的是，其在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在60A电流条件下仅为2.5毫欧。这一超低Rds(on)特性直接转化为更低的导通压降和功率耗散，最大程度减少了导通状态下的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）控制在160nC（@10V），有助于实现快速开关并降低栅极驱动电路的负担，从而优化高频开关应用的性能。

在接口与参数方面，STH240N10F7-2的标准驱动电压为10V，栅-源电压最大可承受±20V。其热设计考虑了高功率场景，最大功率耗散可达300W（Tc），结合H2PAK-2封装优异的散热性能，确保了器件在严苛环境下的可靠运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应工业级和汽车级应用的温度要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和供应链可靠的重要途径。

凭借其高电流、低电阻和快速开关的特性组合，这款MOSFET非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。其主要应用领域包括大功率DC-DC转换器、电机驱动控制器（如工业电机、电动工具）、不间断电源（UPS）系统以及新能源领域的车载充电机（OBC）和光伏逆变器中的功率开关部分。在这些应用中，它能有效提升能效，减小系统体积与散热需求，是实现紧凑、高效电力电子设计的理想选择。

• 型号:STH240N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH240N10F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能STripFET产品系列。该器件采用H2PAK-2封装，核心优势在于其100V的漏源电压和高达180A的连续漏极电流处理能力，能够胜任高功率开关任务。

其技术亮点在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动、60A电流条件下，导通电阻最大值仅为2.5毫欧。同时，优化的栅极电荷（最大160nC @10V）有助于实现快速开关，减少开关损耗。这些特性使其在需要高效率和高功率密度的应用中表现出色，例如服务器电源、电机驱动和各类电源转换系统。