STH240N10F7-6

STH240N10F7-6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构和创新的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷乘积（R_DS(on) × Q_G），这一指标是衡量功率开关效率与开关损耗平衡的关键品质因数。其设计核心在于通过精细的工艺控制，在维持高可靠性的前提下，显著降低功率转换过程中的传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电流处理能力与极低的导通阻抗。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达180A，而导通电阻在10V驱动电压、60A电流下典型值仅为2.5毫欧。这一特性直接转化为更低的导通压降和功率耗散，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值控制在160nC（@10V），结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关过渡时间，从而在高频开关应用中有效降低开关损耗。其栅源电压（V_GS）耐受范围达±20V，提供了稳健的驱动鲁棒性。

在电气参数方面，该器件具备100V的漏源击穿电压（V_DSS），适用于48V总线及以下的主流工业电压平台。其阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，确保了良好的噪声免疫能力和易驱动性。器件采用H2PAK-6（也称为D²PAK-6）表面贴装封装，这种封装提供了优异的散热性能和更高的功率密度，其最大功耗能力为300W（Tc）。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借高电流、低损耗和坚固的封装特性，STH240N10F7-6非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。其主要应用领域包括服务器和电信设备的高效率DC-DC转换器、电机驱动与控制系统（如工业电机、电动工具）、不间断电源（UPS）以及新能源领域的功率变换单元（如太阳能逆变器、电池管理系统）。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STH240N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 想获取STH240N10F7-6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STH240N10F7-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件设计用于在100V的漏源电压下处理高达180A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.5mΩ @ 10V, 60A）与优化的栅极电荷（最大值160nC @ 10V）特性，这共同确保了在高功率应用中实现最低的传导损耗和开关损耗。

器件采用H2PAK-6表面贴装封装，提供卓越的热性能，最大功率耗散可达300W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，保证了在恶劣环境下的可靠运行。这些参数使其成为构建高效率、高功率密度电源解决方案的理想选择，尤其适用于服务器电源、工业电机驱动、UPS以及新能源转换系统等关键领域。