STH265N6F6-2AG

STH265N6F6-2AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于符合AEC-Q101标准的Automotive级STripFET F6产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，旨在为苛刻的汽车电子及工业应用提供卓越的功率开关性能。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的半导体工艺实现了极低的R_DS(on)，从而显著降低了导通损耗。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达180A（T_C=25°C）的连续漏极电流能力，展现出强大的功率处理潜力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，典型R_DS(on)最大值仅为2.1毫欧，这直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。同时，器件拥有优化的栅极电荷（Q_g）特性，在10V V_GS下最大值为183nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现更高频率的开关操作。

在接口与参数方面，STH265N6F6-2AG采用坚固的H2PAK-2（TO-263-2）表面贴装封装，具有良好的散热性能和功率循环能力，最大功率耗散可达300W（T_C）。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了宽裕的驱动安全裕度。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在极端环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和专业支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品的技术咨询与供货信息。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和优异的开关性能，这款MOSFET非常适用于对效率和可靠性要求极高的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如电动助力转向、燃油泵）、DC-DC转换器、以及工业电源和逆变器系统。其AEC-Q101认证进一步确立了其在汽车电子动力总成、车身控制及电池管理系统中的优势地位，是设计工程师在构建高效、紧凑型功率解决方案时的可靠选择。

• 型号:STH265N6F6-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH265N6F6-2AG是意法半导体STripFET F6系列中的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件设计用于处理高功率应用，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.1mΩ @ 10V, 60A）与高达180A的连续漏极电流能力，结合60V的漏源电压额定值，能够显著降低导通损耗，提升系统整体效率。

器件采用H2PAK-2封装，支持表面贴装，具有良好的热性能，最大功率耗散为300W。其优化的栅极电荷（最大183nC @ 10V）有助于实现快速开关并降低驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在严苛的汽车及工业环境下的稳定性和可靠性，适用于电机驱动、电源转换等高要求场景。