STH275N8F7-2AG

STH275N8F7-2AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET F7产品系列。该器件采用先进的H2PAK-2封装，专为要求严苛的汽车电子及高功率密度工业应用而设计，在-55°C至175°C的宽结温范围内保持稳定可靠的性能。

其核心架构基于意法半导体成熟的STripFET F7技术，该技术通过优化单元结构和工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的优异平衡。具体表现为，在10V栅极驱动电压、90A漏极电流条件下，其导通电阻典型值低至2.1毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，栅极电荷（Q_G）最大值仅为193nC，结合13600pF的输入电容（C_iss），确保了快速高效的开关特性，有助于减少开关损耗并提升系统整体效率，尤其适用于高频开关应用。

该MOSFET具备80V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达180A（壳温条件下）的连续漏极电流能力，提供了充足的电压与电流裕量。其栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，最大值为4.5V，与常见的驱动电路兼容良好，同时栅源电压（V_GS）可承受±20V的范围，增强了抗干扰能力。最大功率耗散能力为315W（Tc），结合低热阻的H2PAK-2表面贴装封装，为高功率应用提供了有效的散热路径。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

在应用层面，STH275N8F7-2AG凭借其高电流处理能力、低导通损耗和快速开关速度，成为汽车系统中电机驱动（如电动助力转向、水泵/油泵）、DC-DC转换器（尤其是48V系统）以及电池管理主开关等关键部位的理想选择。在工业领域，它同样适用于大电流开关电源、不间断电源（UPS）的功率级以及各类电机控制模块，能够帮助设计工程师在提升功率密度的同时，确保系统的高可靠性与能效。

• 型号:STH275N8F7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH275N8F7-2AG是意法半导体推出的AEC-Q101认证车规级N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2封装。其核心优势在于STripFET F7技术带来的卓越性能平衡，在10V V_GS下导通电阻低至2.1mΩ（@90A），同时栅极电荷（Q_G）最大值仅为193nC，有效降低了导通与开关损耗。

该器件额定值为80V V_DSS与180A连续漏极电流（T_C），最大功率耗散达315W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。这些特性使其特别适用于需要高可靠性、高效率及高功率密度的应用场景。