STH310N10F7-6

STH310N10F7-6是ST意法半导体基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了优化的单元结构和制造工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构集成了DeepGATE技术，通过增强栅极控制能力，有效降低了栅极电荷和米勒电容，从而提升了在高频开关应用中的效率与可靠性。这种设计使得该MOSFET能够在高电流下保持稳定的性能，同时将开关损耗控制在较低水平。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，典型值仅为2.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在180nC，这有助于降低驱动电路的功率需求并实现更快的开关速度。结合高达100V的漏源击穿电压（Vdss）和175°C的最大结温（TJ），器件展现出强大的鲁棒性和宽泛的工作范围。其封装采用H2PAK-6，这是一种专为大电流应用优化的表面贴装封装，具有良好的散热性能和功率处理能力，支持高达315W（Tc）的功率耗散。

在电气参数方面，STH310N10F7-6在25°C壳温下可支持高达180A的连续漏极电流。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.8V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性，而±20V的最大栅源电压则提供了充足的驱动安全裕量。输入电容（Ciss）为12800pF，结合低Qg特性，使其在要求苛刻的开关应用中仍能保持优异的动态性能。用户可以通过授权的ST代理商获取该产品的完整技术资料、样品及供货支持。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和快速的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。典型应用包括工业电机驱动、大功率DC-DC转换器、不间断电源（UPS）系统以及电动汽车中的车载充电器和辅助电源模块。在这些场景中，器件能够有效降低系统热耗散，提升功率转换效率，并凭借其坚固的封装和宽温工作范围确保长期运行的稳定性。

• 型号:STH310N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH310N10F7-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII与DeepGATE技术的产品系列。该器件在100V的漏源电压下，能够提供高达180A（Tc）的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为2.5毫欧 @ 60A, 10V，这显著降低了功率传导损耗。

此外，器件通过优化设计实现了较低的栅极电荷（180nC @ 10V），有助于提升开关速度并降低驱动损耗。其采用H2PAK-6表面贴装封装，支持315W（Tc）的功率耗散和-55°C至175°C的宽结温范围，确保了在高功率密度应用中的可靠性与热性能。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动方案的理想选择。