STH315N10F7-2

作为ST意法半导体旗下Automotive, AEC-Q101, DeepGATE, STripFET VII产品系列的重要成员，STH315N10F7-2是一款采用先进STripFET VII技术构建的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和深沟槽栅极（DeepGATE）工艺，这一组合显著提升了功率密度和开关性能。该器件采用H2PAK-2封装，这是一种专为大电流应用设计的表面贴装封装，具有良好的热性能和机械可靠性，便于在紧凑的PCB布局中实现高效散热。

该MOSFET在电气性能上表现突出，其漏源电压（Vdss）高达100V，为车载电源系统等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值达到180A，展现出强大的电流处理能力。更关键的是，其导通电阻（Rds(on)）极低，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流的典型工作条件下，最大值仅为2.3毫欧。这种低导通电阻直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率，对于降低系统温升和提升能效至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为180nC，有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗。

在接口与参数方面，该器件设计稳健，栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，增强了驱动电路的鲁棒性。其输入电容（Ciss）在25V条件下最大为12800pF，是评估开关速度的重要参数。器件的热设计同样出色，最大功率耗散为315W（Tc），结合宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的项目，通过授权的ST一级代理进行采购是保障正品和获取完整技术资料的有效途径。

凭借其高可靠性、高效率和高功率密度，STH315N10F7-2非常适用于对性能和空间均有严苛要求的领域。在汽车电子中，它是电机驱动、电动助力转向（EPS）、48V启停系统和DC-DC转换器的理想选择。在工业领域，可用于大电流开关电源、不间断电源（UPS）和电机控制模块。其AEC-Q101认证资格，更是为其在汽车及其他高可靠性应用中的大规模使用提供了品质背书。

• 型号:STH315N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH315N10F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。该器件采用先进的STripFET VII和DeepGATE技术，在H2PAK-2封装内实现了优异的电气特性。

其核心优势在于100V的漏源电压和高达180A的连续漏极电流处理能力，同时保持了极低的导通电阻（典型值2.3mΩ @ 10V, 60A），这能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。此外，其宽工作结温范围（-55°C至175°C）和315W的最大功率耗散能力，确保了其在恶劣环境下的高可靠性与稳定性。