STH320N4F6-6

意法半导体推出的STH320N4F6-6是一款面向严苛汽车电子应用的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术，通过优化单元结构和沟槽工艺，在硅片层面实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统效率、减少热管理负担至关重要，尤其适用于高频率或大电流的开关场景。

在电气特性方面，该MOSFET展现出卓越的性能。其最大导通电阻（R_DS(on)）在10V栅极驱动电压、80A漏极电流条件下低至1.3毫欧，这一特性直接转化为更低的通态压降和功率损耗。器件具备40V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达200A（壳温条件下）的连续漏极电流能力，提供了充足的电压与电流裕量。其栅极电荷（Q_g）典型值控制在较低水平，有助于降低驱动损耗并提升开关速度，而±20V的栅源电压（V_GS）范围则增强了驱动的鲁棒性。

该产品封装于H2PAK-6表面贴装封装，这种封装形式具有优异的散热性能和较低的封装寄生电感，有利于在高功率密度设计中维持器件的工作结温。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并且通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，确保了在发动机舱等高温、高振动环境下的长期稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高电流处理能力、低导通损耗以及汽车级的可靠性，STH320N4F6-6非常适合于各类要求严苛的功率转换与控制系统。典型应用包括电动汽车中的电机驱动逆变器、DC-DC转换器，以及传统汽车内的电子助力转向（EPS）、燃油泵驱动、电池管理系统（BMS）中的负载开关等。在这些场景中，它能够有效提升能效，减少系统体积，并满足汽车行业对长寿命和高可靠性的强制要求。

• 型号:STH320N4F6-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH320N4F6-6是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件隶属于Automotive, DeepGATE, STripFET VI产品系列，采用H2PAK-6封装，专为高功率密度和高可靠性应用设计。

其核心电气参数突出，包括40V的漏源电压（V_DSS）和高达200A（Tc）的连续漏极电流能力。关键优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、80A I_D条件下最大仅为1.3毫欧，这能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在240nC，有利于实现高效的开关操作。

该器件支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为300W（Tc），确保了在严苛汽车环境下的稳定运行与卓越的热性能，是电机驱动、电源转换等高压大电流应用的理想选择。