STH360N4F6-2

STH360N4F6-2是ST意法半导体基于其先进的STripFET VI和DeepGATE技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心架构通过精细的单元密度控制和创新的沟槽栅极工艺，在保证高可靠性的前提下，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这对于高电流应用中的效率提升至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电流处理能力和极低的导通阻抗。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）高达180A，而在10V栅极驱动电压、60A电流条件下，其最大导通电阻仅为1.25毫欧。这种低R_DS(on)特性直接转化为更低的传导损耗和发热量，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有助于减少开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在电气接口与参数方面，STH360N4F6-2的漏源击穿电压（V_DSS）为40V，适用于常见的24V或更低电压的母线系统。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了宽裕的安全工作范围。器件采用表面贴装型H2PAK-2封装，这种封装具有优异的散热性能和较低的封装寄生电感，有助于在高功率密度应用中实现有效的热管理和稳定的高频开关操作。其结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。客户可以通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持和供货信息。

凭借其高电流、低阻抗和坚固的封装特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度要求极高的领域。典型应用包括服务器和电信设备的高功率DC-DC转换器中的同步整流和功率开关、工业电机驱动和机器人中的大电流逆变桥臂，以及电动汽车相关设备（如车载充电机、辅助电源）中的功率管理模块。其设计平衡了性能与可靠性，是针对现代高效能电源解决方案而优化的功率开关元件。

• 型号:STH360N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH360N4F6-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2表面贴装封装。该器件基于STripFET VI和DeepGATE技术，旨在提供卓越的功率处理能力和效率。

其核心电气参数表现为高电流与低损耗的结合：在壳温25°C下连续漏极电流额定值达180A，同时在10V栅极驱动下导通电阻典型值极低，最大仅1.25毫欧（@60A）。40V的漏源电压使其适用于中低压大电流场景，而宽结温范围（-55°C至175°C）则保证了环境适应性。