STH400N4F6-2

STH400N4F6-2是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术平台。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷乘积（R_DS(on) × Q_G），这一关键指标直接决定了开关应用中的效率和功率损耗水平。其H2PAK-2封装不仅提供了卓越的散热性能和功率密度，还通过增强的机械结构确保了在严苛环境下的可靠性，尤其符合汽车级AEC-Q101标准的要求。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、60A电流条件下典型值仅为1.15毫欧，这使其在导通状态下的功率损耗显著降低。同时，其优化的栅极电荷（Q_G）特性，最大值仅为404nC @ 10V，结合较低的栅极阈值电压（V_GS(th)），使得开关速度快，驱动电路的设计更为简化，有助于提升系统在高频开关应用中的整体效率。高达180A的连续漏极电流（T_C）和40V的漏源击穿电压，为其在高电流、中压应用场景中提供了充足的性能裕量。

在电气参数方面，该器件支持±20V的栅源电压范围，为驱动设计提供了灵活性。其输入电容（C_iss）在25V条件下最大为20500pF，是评估开关瞬态特性的重要参数。器件采用表面贴装型H2PAK-2封装，该封装具有低寄生电感和优异的散热路径，最大功率耗散能力可达300W（T_C）。宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应从寒冷启动到高温运行的各类严苛工况。对于需要稳定供货和技术支持的客户，建议通过授权的ST一级代理进行采购，以获取正品保障和完整的供应链服务。

凭借其高电流处理能力、高效率以及汽车级的可靠性，STH400N4F6-2非常适用于对性能和鲁棒性要求极高的领域。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如电动助力转向、燃油泵、风扇控制）、DC-DC转换器中的同步整流和主开关、以及各类工业电源管理和电池保护电路。其设计充分考虑了现代电力电子系统对功率密度和能效的持续追求，是构建紧凑、高效功率解决方案的关键元件。

• 型号:STH400N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:404 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH400N4F6-2是ST意法半导体基于STripFET VI技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2封装，符合汽车级AEC-Q101标准。该器件核心特性在于其卓越的导通性能与开关效率的平衡。

其关键参数包括40V的漏源电压（V_DSS）和高达180A（T_C）的连续漏极电流能力。在10V驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至1.15毫欧（@60A），同时栅极电荷（Q_G）最大值仅为404nC，这共同确保了极低的导通损耗和快速的开关速度，有效提升系统整体能效。

该器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于要求高可靠性和高功率密度的汽车电子及工业电源应用场景。