STH410N4F7-6AG

STH410N4F7-6AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET F7产品系列。该器件采用先进的H2PAK-6封装，专为要求严苛的高电流、高效率功率开关应用而设计，其核心架构基于ST成熟的STripFET F7技术平台。这一平台通过优化单元结构和工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的优异平衡，从而显著降低了传导损耗和开关损耗，提升了系统的整体能效。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（V_DSS）为40V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）高达200A，展现出卓越的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、90A漏极电流条件下，最大值仅为1.1毫欧，这一极低的R_DS(on)值直接转化为更低的通态压降和功率耗散。同时，其栅极电荷（Q_G）典型值较低，有助于简化栅极驱动设计，实现快速开关并减少驱动损耗。器件的栅源电压（V_GS）耐受范围为±20V，提供了良好的栅极可靠性裕度。

在接口与关键参数方面，该器件采用表面贴装型H2PAK-6封装，这种封装形式具有良好的散热性能和功率循环能力，其最大功率耗散（T_C）可达365W。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V @ 250A，确保了在噪声环境下的稳定关断。宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C）使其能够适应从寒冷启动到高温运行的各类严苛环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高电流、低损耗和车规级可靠性，STH410N4F7-6AG非常适合于汽车电子领域的核心应用。典型应用场景包括电动助力转向（EPS）系统、48V/12V DC-DC转换器、电机驱动控制（如风扇、泵类）、以及电池管理系统的负载开关。此外，在工业自动化、大电流电源和服务器电源等需要高效功率转换和管理的场合，该器件也能发挥关键作用，是实现紧凑、高效、可靠功率解决方案的理想选择。

• 型号:STH410N4F7-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:141 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:365W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH410N4F7-6AG是意法半导体推出的AEC-Q101认证车规级N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6封装。其核心优势在于结合了高达200A的连续漏极电流处理能力与极低的导通电阻（1.1毫欧@10V, 90A），能显著降低系统传导损耗。

该器件基于STripFET F7技术，在栅极电荷与导通电阻之间取得了良好平衡，有助于提升开关效率并简化驱动设计。其40V的漏源电压和-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在严苛的汽车及工业环境下的高可靠性与稳定性，适用于高电流开关和电机驱动等关键应用。