STI10NM60N

STI10NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAK（TO-262）封装，专为高电压、高效率的开关应用而设计。其核心架构依托于ST先进的超结（Super-Junction）技术，通过优化单元结构和电荷平衡，在相同的芯片面积下实现了更低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即更优的品质因数（FOM），这直接关系到开关电源的转换效率与工作频率上限。

在功能特性上，该器件展现了MDmesh II系列的典型优势。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换、功率因数校正（PFC）等应用中的高压应力。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值为10A，结合最大70W的功率耗散能力，提供了可观的功率处理容量。其导通电阻在10V驱动电压、4A测试条件下典型值仅为550毫欧，较低的Rds(on)意味着在导通状态下的传导损耗被显著降低，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC（@10V），输入电容（Ciss）也得到良好控制，这共同降低了驱动电路的负担，使得开关速度更快，开关损耗更小，尤其适合高频开关工作模式。

从接口与关键参数来看，该器件采用标准的N沟道MOSFET三端接口。其栅极驱动电压（Vgs）范围宽达±25V，增强了抗干扰能力，而标准10V的驱动电压即可确保器件完全导通。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了足够的噪声容限。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关的产品资料、样品以及停产后的替代方案咨询。

在应用场景方面，STI10NM60N凭借其高压、低损耗的特性，主要面向离线式开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动控制以及照明镇流器等领域的功率开关和整流环节。它常用于反激、正激、半桥等拓扑结构中的主开关管或同步整流管，是构建高效、紧凑型电源模块的关键元件之一。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计中，它依然是一个经过市场验证的高性能选择，工程师在选型时可参考其参数作为同类替代器件的性能基准。

• 型号:STI10NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI10NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK封装，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与10A的连续漏极电流（Id）额定值，结合低至550毫欧的导通电阻（Rds(on)），为高压功率开关应用提供了低传导损耗的解决方案。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC，配合优化的输入电容，确保了快速的开关特性和较低的驱动损耗，有利于提升系统工作效率与工作频率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备良好的热可靠性，适用于要求严苛的工业环境。