STI15NM60N

STI15NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的优异平衡。其核心在于优化的单元结构和工艺，使得在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够有效控制寄生电容并提升开关性能，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性体现在其电气参数上。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达14A，而导通电阻（Rds(on)）在7A电流和10V栅极驱动电压下典型值仅为299毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。栅极电荷（Qg）最大值控制在37nC（@10V），结合1250pF的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗。其栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，提供了较宽的驱动安全裕度，而4V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）则确保了良好的噪声免疫性。

在封装与可靠性方面，STI15NM60N采用通孔安装的I2PAK封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散为125W（Tc）。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取关于该器件的详细技术资料、库存信息以及替代方案咨询。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术规格依然指向典型的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动以及照明镇流器等中高功率应用场景。在这些领域中，其600V的耐压值使其能够从容应对交流输入整流后的高压总线，而优异的动态特性则有助于提升系统整体频率和功率密度，是工程师在设计与优化相关能源转换系统时曾重点考虑过的经典功率开关选择之一。

• 型号:STI15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI15NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下14A的连续漏极电流承载能力。

其技术优势在于实现了低导通损耗与良好开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至299毫欧（@7A），同时栅极总电荷（Qg）被优化至37nC，这有助于降低功率转换过程中的导通与开关损耗，提升系统效率。器件采用I2PAK通孔封装，最大功耗为125W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业环境。